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2N5432-2

2N5432-2

Solo per riferimento

Numero parte 2N5432-2
PNEDA Part # 2N5432-2
Descrizione JFET N-CH 25V 0.3W TO-52
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5432-2 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5432-2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2N5432-2, 2N5432-2 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 51,44 KB)
PDF2N5433-E3 Datasheet Copertura
2N5433-E3 Datasheet Pagina 2 2N5433-E3 Datasheet Pagina 3 2N5433-E3 Datasheet Pagina 4 2N5433-E3 Datasheet Pagina 5 2N5433-E3 Datasheet Pagina 6

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2N5432-2 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)150mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id4V @ 3nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 0V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-206AC (TO-52)

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-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

30mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Produttore

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

8 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4.5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

3 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

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