2N2907AE4
Solo per riferimento
| Numero parte | 2N2907AE4 |
| PNEDA Part # | 2N2907AE4 |
| Descrizione | DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.940 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
2N2907AE4 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | 2N2907AE4 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- 2N2907AE4 Datasheet
- where to find 2N2907AE4
- Microsemi
- Microsemi 2N2907AE4
- 2N2907AE4 PDF Datasheet
- 2N2907AE4 Stock
- 2N2907AE4 Pinout
- Datasheet 2N2907AE4
- 2N2907AE4 Supplier
- Microsemi Distributor
- 2N2907AE4 Price
- 2N2907AE4 Distributor
2N2907AE4 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 600mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 60V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 10µA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 5A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 20V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 3A Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 500mA, 2V Potenza - Max 750mW Frequenza - Transizione 150MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V Potenza - Max 300mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max 500mW Frequenza - Transizione 200MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 600mA, 3A Corrente - Taglio collettore (Max) 300µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 4V Potenza - Max 40W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 3V Potenza - Max 10W Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore CPT3 |
