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2DB1132R-13

2DB1132R-13

Solo per riferimento

Numero parte 2DB1132R-13
PNEDA Part # 2DB1132R-13
Descrizione TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2DB1132R-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2DB1132R-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
2DB1132R-13, 2DB1132R-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 305,34 KB)
PDF2DB1132Q-13 Datasheet Copertura
2DB1132Q-13 Datasheet Pagina 2 2DB1132Q-13 Datasheet Pagina 3 2DB1132Q-13 Datasheet Pagina 4 2DB1132Q-13 Datasheet Pagina 5 2DB1132Q-13 Datasheet Pagina 6

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2DB1132R-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)32V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 100mA, 3V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione190MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Serie

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Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 5A, 3V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

450mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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