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1SS361FV,L3F

1SS361FV,L3F

Solo per riferimento

Numero parte 1SS361FV,L3F
PNEDA Part # 1SS361FV-L3F
Descrizione DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario
1 ---------- $11,9328
100 ---------- $11,3735
250 ---------- $10,8141
500 ---------- $10,2548
750 ---------- $9,7886
1.000 ---------- $9,3225
Disponibile 197.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1SS361FV Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1SS361FV,L3F
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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1SS361FV Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 80V
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-723
Pacchetto dispositivo fornitoreVESM

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

MURF10040

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

JAN1N6660DT1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/608

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

RBR15BM40AFHTL

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 7.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

240µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

108A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.31V @ 110A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

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