1N8032-GA
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Numero parte | 1N8032-GA |
PNEDA Part # | 1N8032-GA |
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.320 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N8032-GA Risorse
Brand | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | 1N8032-GA |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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1N8032-GA Specifiche
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.5A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 274pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-257-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
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