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1N5819UR-1/TR

1N5819UR-1/TR

Solo per riferimento

Numero parte 1N5819UR-1/TR
PNEDA Part # 1N5819UR-1-TR
Descrizione SCHOTTKY
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.788
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5819UR-1/TR Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5819UR-1/TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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1N5819UR-1/TR Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)45V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If490mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr50µA @ 45V
Capacità @ Vr, F70pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-213AA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-213AA
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 125°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 120V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BAT720,235

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 35V

Capacità @ Vr, F

90pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

VS-8TQ080GPBF

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

280µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N5834

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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