1N5811TR
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| Numero parte | 1N5811TR |
| PNEDA Part # | 1N5811TR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.924 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5811TR Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5811TR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5811TR Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | B, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
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