1N5809US.TR
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| Numero parte | 1N5809US.TR |
| PNEDA Part # | 1N5809US-TR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 6A |
| Produttore | Semtech |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.676 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5809US.TR Risorse
| Brand | Semtech |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5809US.TR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5809US.TR Specifiche
| Produttore | Semtech Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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