1N5615US
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| Numero parte | 1N5615US |
| PNEDA Part # | 1N5615US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.294 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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1N5615US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N5615US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5615US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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