1N5407G A0G
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Numero parte | 1N5407G A0G |
PNEDA Part # | 1N5407G-A0G |
Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.160 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N5407G A0G Risorse
Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | 1N5407G A0G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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1N5407G A0G Specifiche
Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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