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1N5062TAP

1N5062TAP

Solo per riferimento

Numero parte 1N5062TAP
PNEDA Part # 1N5062TAP
Descrizione DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 202.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5062TAP Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5062TAP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5062TAP, 1N5062TAP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 135,63 KB)
PDF1N5061TAP Datasheet Copertura
1N5061TAP Datasheet Pagina 2 1N5061TAP Datasheet Pagina 3 1N5061TAP Datasheet Pagina 4

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1N5062TAP Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.15V @ 2.5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 800V
Capacità @ Vr, F40pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSOD-57, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-57
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

700A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AB, B-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AB, B-PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

ES2LG R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

80SQ045N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

JANTX1N1186

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/297

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 110A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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