1N4448W-HE3-18
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| Numero parte | 1N4448W-HE3-18 |
| PNEDA Part # | 1N4448W-HE3-18 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.352 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N4448W-HE3-18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N4448W-HE3-18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
1N4448W-HE3-18, 1N4448W-HE3-18 Datasheet
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1N4448W-HE3-18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 75V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 150mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.16V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 13pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DO-221BC (SMPA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 4500V Corrente - Media Rettificata (Io) 475A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.66V @ 1000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 4500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia B-8 Pacchetto dispositivo fornitore B-8 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
