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1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Solo per riferimento

Numero parte 1N4448HWS-7
PNEDA Part # 1N4448HWS-7
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4448HWS-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4448HWS-7
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4448HWS-7, 1N4448HWS-7 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 151,84 KB)
PDF1N4448HWS-7 Datasheet Copertura
1N4448HWS-7 Datasheet Pagina 2 1N4448HWS-7 Datasheet Pagina 3 1N4448HWS-7 Datasheet Pagina 4

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1N4448HWS-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media Rettificata (Io)250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 80V
Capacità @ Vr, F3.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CDBA160-HF

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

IDD04SG60CXTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5.6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 4A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

80pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

APT60D100BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

280ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Capacità @ Vr, F

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