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1N4153_T50R

1N4153_T50R

Solo per riferimento

Numero parte 1N4153_T50R
PNEDA Part # 1N4153_T50R
Descrizione DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.572
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 19 - nov 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4153_T50R Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4153_T50R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4153_T50R, 1N4153_T50R Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 81,5 KB)
PDF1N4153TR Datasheet Copertura
1N4153TR Datasheet Pagina 2

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1N4153_T50R Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)75V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If880mV @ 20mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

125µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

CSA2K-E3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.1µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

11pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SMD24LHE-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123H

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123HE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JAN1N5416

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/411

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

B, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-20ETF06SLHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.67V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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