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1N4007GPE-E3/54

1N4007GPE-E3/54

Solo per riferimento

Numero parte 1N4007GPE-E3/54
PNEDA Part # 1N4007GPE-E3-54
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.714
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4007GPE-E3/54 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4007GPE-E3/54
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N4007GPE-E3/54, 1N4007GPE-E3/54 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 79,42 KB)
PDF1N4004GPE-E3/91 Datasheet Copertura
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1N4007GPE-E3/54 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

JANTXV1N5809US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/477

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore

B, SQ-MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-SD1100C28J

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.44V @ 1500A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

B-43, Hockey PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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