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1N3070TR

1N3070TR

Solo per riferimento

Numero parte 1N3070TR
PNEDA Part # 1N3070TR
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 230.238
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N3070TR Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N3070TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N3070TR, 1N3070TR Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 144,37 KB)
PDF1N3070_T50R Datasheet Copertura
1N3070_T50R Datasheet Pagina 2 1N3070_T50R Datasheet Pagina 3 1N3070_T50R Datasheet Pagina 4

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1N3070TR Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 175V
Capacità @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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Produttore

Power Integrations

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

13ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

ES1A M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

16pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

AS3PMHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.1A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

37pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1C5711.T

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 50V

Capacità @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

VS-60CPF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

480ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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