1N1190
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| Numero parte | 1N1190 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 1N1190 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | ||||||||||||||||||
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 136 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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1N1190 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 1N1190 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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1N1190 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 35A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 590mV @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 165µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
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