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1MS08017E32W31490NOSA1

1MS08017E32W31490NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte 1MS08017E32W31490NOSA1
PNEDA Part # 1MS08017E32W31490NOSA1
Descrizione MODULE IGBT STACK A-MS2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1MS08017E32W31490NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1MS08017E32W31490NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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  • 1MS08017E32W31490NOSA1 Distributor

1MS08017E32W31490NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

IRG7U200HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

APTGF30A60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42A

Potenza - Max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

APTGTQ200A65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

CM200EXS-24S

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

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