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181NQ045R

181NQ045R

Solo per riferimento

Numero parte 181NQ045R
PNEDA Part # 181NQ045R
Descrizione DIODE SCHOTTKY 45V 180A HALFPAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

181NQ045R Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte181NQ045R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
181NQ045R, 181NQ045R Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 97,92 KB)
PDF181NQ045R Datasheet Copertura
181NQ045R Datasheet Pagina 2 181NQ045R Datasheet Pagina 3 181NQ045R Datasheet Pagina 4 181NQ045R Datasheet Pagina 5

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181NQ045R Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)45V
Corrente - Media Rettificata (Io)180A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If660mV @ 180A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr15mA @ 45V
Capacità @ Vr, F7800pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaD-67 HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitoreHALF-PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

320A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 300A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-60°C ~ 180°C

SS215LHMQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

TSPB5H150S S2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

SMPC4.0

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CMS21(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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