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CY7C2270KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Dimensione della memoria: 36Mb (1M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 550MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1371KV33-133AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 6.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 16G PARALLEL 83MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NAND
• Dimensione della memoria: 16Gb (2G x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 83MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-VBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-VBGA (12x18)

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CY7C1318KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
• Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 250MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1321KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
• Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 250MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1361C-100AXE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 100MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 8.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY14B116S-BZ25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (512K x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

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CY14B116N-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 16M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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CY62167EV18LL-55BVI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
• Tempo di accesso: 55ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.25V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY7C1460KV25-167BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 36Mb (1M x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.4ns
• Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)

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CY7C2163KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 550MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1248KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1051DV33-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B108M-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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CY14B104NA-ZS45XE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.63V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY7C2163KV18-450BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II+
• Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 450MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1418KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
• Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 250MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1425KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
• Dimensione della memoria: 36Mb (4M x 9)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 250MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1061G18-15BV1XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 15ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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S29GL01GT10DHI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-T
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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CY62167EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: MoBL®
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY7C1061GE30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY7C1370KVE33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 167MHZ

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1312KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
• Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 250MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1383D-133AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 6.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1061G30-10BV1XE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Asynchronous
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
• Tempo di accesso: 10ns
• Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

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CY14B101LA-BA25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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AT45DB641E-MHN2B-T

Adesto Technologies

Memoria

IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8UDFN

• Produttore: Adesto Technologies
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 64Mb (256 Bytes x 32K pages)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 85MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 8µs, 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-UDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-UDFN (5x6)

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DS28EC20P+T

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOC

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M95512-DFMC6TG

STMicroelectronics

Memoria

IC EEPROM 512K SPI 8UFDFPN

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 16MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-UFDFPN (2x3)

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