Infineon Technologies Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo

ProduttoreInfineon Technologies

Record 6.749

Pagina 221/225

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Tecnologia	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto dispositivo fornitore	Pacchetto / Custodia
IRFC4020D	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	6.390	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4104EB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	8.496	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4115ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	8.892	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4127ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	6.714	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4227EB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	2.070	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4227ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	8.478	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4332ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	6.606	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4368D	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	7.866	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4410ZEB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	7.848	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4468D	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	2.664	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4468ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	7.686	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4568EF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	3.078	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4668D	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	5.580	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4668EF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	7.776	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC4768ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	2.538	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFC8721ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	8.676	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLC3813EB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	7.254	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLC8256ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	5.526	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLC8259EB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	6.660	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLC8259ED	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	8.118	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLC8743EB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH WAFER	7.794	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFH7184ATRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8-TDSON	5.940	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFH7190ATRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8-TDSON	4.896	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFH7194TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 11A	6.534	FASTIRFET™, HEXFET®	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100V	11A (Ta), 35A (Tc)	10V	16.4mOhm @ 21A, 10V	3.6V @ 50µA	19nC @ 10V	±20V	733pF @ 50V	-	3.6W (Ta), 39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-PQFN (5x6)	8-PowerTDFN
AUIRFN7107TR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN	6.102	HEXFET®	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75V	14A (Ta), 75A (Tc)	10V	8.5mOhm @ 45A, 10V	4V @ 100µA	77nC @ 10V	±20V	3001pF @ 25V	-	4.4W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	PQFN (5x6)	8-PowerTDFN
IPD50R2K0CEBTMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	5.670	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPS70R600CEAKMA2	Infineon Technologies	CONSUMER	7.794	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPU60R3K4CEAKMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	7.038	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPI50R140CPXKSA1	Infineon Technologies	HIGH POWER_LEGACY	6.786	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IPD50R399CPBTMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_LEGACY	8.712	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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