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ZXMN3A04KTC Datasheet

ZXMN3A04KTC Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 1.148,45 KB
Diodes Incorporated
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: ZXMN3A04KTC
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ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.15W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63