XP161A1265PR-G Datasheet
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Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89 Pacchetto / Custodia TO-243AA |
Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89 Pacchetto / Custodia TO-243AA |
