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VS-GB300TH120U Datasheet

VS-GB300TH120U Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 125,79 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: VS-GB300TH120U
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VS-GB300TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

530A

Potenza - Max

2119W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

25.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK