VS-FC80NA20 Datasheet
VS-FC80NA20 Datasheet
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
VS-FC80NA20
Vishay Semiconductor Diodes Division Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 108A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10720pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 405W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227 Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |