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VS-FC80NA20 Datasheet

VS-FC80NA20 Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 380,27 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: VS-FC80NA20
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VS-FC80NA20

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

108A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10720pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

405W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC