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VS-25TTS08-M3 Datasheet

VS-25TTS08-M3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 196,19 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: VS-25TTS08-M3, VS-25TTS12-M3
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VS-25TTS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tensione - Stato spento

800V

Tensione - Gate Trigger (Vgt) (Max)

2V

Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max)

45mA

Tensione - Stato On (Vtm) (Max)

1.25V

Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)

16A

Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)

25A

Corrente - Hold (Ih) (Max)

150mA

Corrente - Stato spento (max)

500µA

Corrente - Sovratensione non rep 50, 60 Hz (Itsm)

270A @ 50Hz

Tipo SCR

Standard Recovery

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

VS-25TTS12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tensione - Stato spento

1.2kV

Tensione - Gate Trigger (Vgt) (Max)

2V

Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max)

45mA

Tensione - Stato On (Vtm) (Max)

1.25V

Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)

16A

Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)

25A

Corrente - Hold (Ih) (Max)

150mA

Corrente - Stato spento (max)

500µA

Corrente - Sovratensione non rep 50, 60 Hz (Itsm)

270A @ 50Hz

Tipo SCR

Standard Recovery

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB