UPA2815T1S-E2-AT Datasheet
UPA2815T1S-E2-AT Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
UPA2815T1S-E2-AT
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1760pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-HWSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
