TPCP8003-H(TE85L Datasheet
TPCP8003-H(TE85L Datasheet
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Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
TPCP8003-H(TE85L,F
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIII-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 840mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PS-8 (2.9x2.4) Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead |
