TPC8213-H(TE12LQ Datasheet
TPC8213-H(TE12LQ Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 221,78 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
TPC8213-H(TE12LQ,M
|
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V Potenza - Max 450mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) |
