TLP291(GR-TP Datasheet
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 3750Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 100% @ 5mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 300% @ 5mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 7µs, 7µs Tempo di salita / discesa (tipico) 4µs, 7µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 80V Corrente - Uscita / Canale 50mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.25V Corrente - DC diretta (If) (Max) 50mA Saturazione Vce (Max) 300mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 110°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 4-SO |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 3750Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 100% @ 5mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 300% @ 5mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 7µs, 7µs Tempo di salita / discesa (tipico) 4µs, 7µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 80V Corrente - Uscita / Canale 50mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.25V Corrente - DC diretta (If) (Max) 50mA Saturazione Vce (Max) 300mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 110°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 4-SO |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 3750Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 50% @ 5mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 400% @ 5mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 7µs, 7µs Tempo di salita / discesa (tipico) 4µs, 7µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 80V Corrente - Uscita / Canale 50mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.25V Corrente - DC diretta (If) (Max) 50mA Saturazione Vce (Max) 300mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 110°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 4-SO |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 3750Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 50% @ 5mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 400% @ 5mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 7µs, 7µs Tempo di salita / discesa (tipico) 4µs, 7µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 80V Corrente - Uscita / Canale 50mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.25V Corrente - DC diretta (If) (Max) 50mA Saturazione Vce (Max) 300mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 110°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 4-SO |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 3750Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 100% @ 5mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 400% @ 5mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 7µs, 7µs Tempo di salita / discesa (tipico) 4µs, 7µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 80V Corrente - Uscita / Canale 50mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.25V Corrente - DC diretta (If) (Max) 50mA Saturazione Vce (Max) 300mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 110°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 4-SO |
