TK8A10K3 Datasheet
TK8A10K3 Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 295,15 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
TK8A10K3,S5Q
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 18W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
