SUM90N10-8M2P-E3 Datasheet
SUM90N10-8M2P-E3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 153,4 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SUM90N10-8M2P-E3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6290pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
