SUM52N20-39P-E3 Datasheet
SUM52N20-39P-E3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SUM52N20-39P-E3
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 15V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4220pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.12W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |