STY100NM60N Datasheet
STY100NM60N Datasheet
Totale pagine: 13
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STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STY100NM60N
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Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 98A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 49A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V Vgs (massimo) 25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9600pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore MAX247™ Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
