STW26NM50 Datasheet
STW26NM50 Datasheet
Totale pagine: 12
Dimensioni: 559,65 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STW26NM50
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Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
