STP3LN80K5 Datasheet
STP3LN80K5 Datasheet
Totale pagine: 15
Dimensioni: 800,42 KB
STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STP3LN80K5
STMicroelectronics Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ K5 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.63nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 102pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |