STO33N60M6 Datasheet
STO33N60M6 Datasheet
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STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STO33N60M6
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Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ M6 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1515pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TOLL (HV) Pacchetto / Custodia 8-PowerSFN |
