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STLD200N4F6AG Datasheet

STLD200N4F6AG Datasheet
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STMicroelectronics
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: STLD200N4F6AG
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STLD200N4F6AG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

172nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10700pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

158W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6) Dual Side

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN