STLD200N4F6AG Datasheet
STLD200N4F6AG Datasheet
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STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics Produttore STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 172nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 158W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) Dual Side Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |