SSM3K302T(TE85L Datasheet
SSM3K302T(TE85L Datasheet
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Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SSM3K302T(TE85L,F)
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 71mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 4V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TSM Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
