SQJQ402E-T1_GE3 Datasheet
SQJQ402E-T1_GE3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQJQ402E-T1_GE3
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 8 x 8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® 8 x 8 Single |
