SQJB80EP-T1_GE3 Datasheet
SQJB80EP-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 224,76 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQJB80EP-T1_GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V Potenza - Max 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
