SQJ992EP-T1_GE3 Datasheet
SQJ992EP-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 190,53 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQJ992EP-T1_GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 56.2mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 446pF @ 30V Potenza - Max 34W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
