SQ1464EEH-T1_GE3 Datasheet
SQ1464EEH-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 216,6 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQ1464EEH-T1_GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 440mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 430mW (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
