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SKB02N60E3266ATMA1 Datasheet

SKB02N60E3266ATMA1 Datasheet
Totale pagine: 13
Dimensioni: 598,85 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: SKB02N60E3266ATMA1, SKB02N60ATMA1
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SKB02N60E3266ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Potenza - Max

30W

Switching Energy

64µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

14nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/259ns

Condizione di test

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

SKB02N60ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Potenza - Max

30W

Switching Energy

64µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

14nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/259ns

Condizione di test

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3