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SIZ988DT-T1-GE3 Datasheet

SIZ988DT-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 230,46 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIZ988DT-T1-GE3
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SIZ988DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

Potenza - Max

20.2W, 40W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair®