SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet
SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIZ910DT-T1-GE3
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V Potenza - Max 48W, 100W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (6x5) |
