SIZ710DT-T1-GE3 Datasheet
SIZ710DT-T1-GE3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIZ710DT-T1-GE3
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 10V Potenza - Max 27W, 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-PowerPair™ Pacchetto dispositivo fornitore 6-PowerPair™ |
