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SIZ300DT-T1-GE3 Datasheet

SIZ300DT-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 329,75 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIZ300DT-T1-GE3
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SIZ300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Potenza - Max

16.7W, 31W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair®