SISH434DN-T1-GE3 Datasheet
SISH434DN-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 190,78 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SISH434DN-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.6A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8SH Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8SH |
