SIS126DN-T1-GE3 Datasheet
SIS126DN-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 248,79 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIS126DN-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 45.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1402pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 |
